Bau hybrider Mikroschaltungen: Einführung in die Dünn- und by Dr.-Ing. Ernst Lüder (auth.)

By Dr.-Ing. Ernst Lüder (auth.)

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Q in (69) heiBt Leckrate. 1 Vakuumanlagen 55 W = i/L ist analog zum Ohmschen Gesetz der Stromungswiderstand einer Anordnung. Werden zwei Rohren A und B in Serie geschaltet, so ist fUr uberall gleiches T und dZ/dt nach (66) auch Q uberall dasselbe. h. am Eingang von B, und P 3 der Druck am Ausgang von B sind. h. (71) Dieses Gesetz entspricht der Serienschaltung von Ohmschen Leitwerten. Fur die Parallelschaltung der Rohren ergibt sich gleichermai3en der gesamte Leitwert (72) Unter dem Saugvermogen Seiner Pumpe versteht man S =Q p 1 d(pV) dt P (73) wobei (63) verwertet wurde.

Die erste Maske enthalt die Struktur fUr die Leiterbahnen und Grundelektroden der Kondensatoren. Der Druck erfolgt mit einer Paste fUr Leitermaterial, die nach dem Druck bei ca. a. ber 850°C eingebrannt wird. Die zweite Maske enthalt die dielektrische Schicht. ZuI" Vermeidung von Lochern und Rissen im Dielektrikum empfiehlt sich ein zweimaliger Druck des Dielektrikums mit Zwischentrocknung oder gar dazwischengeschobenem Einbrand bei 850°C. Die dritte Maske liefert die Deckelektroden und die vierte Maske die bandfOrmigen Widerstande, wobei wiederum jeweils eine Zwischentrocknung erforderlich ist.

Beim Kontaktdruck lieg t die Maske wahrend des Druckvorgangs fest auf dem Substrat auf, wie in Bild 30 dargestellt ist. Bei Verwendungvon M etall mask en ist dabei wegen der fehlenden mechanischen Deformation der Maske der Druck genauer als beim off-con- 34 4 Dickschichttechnik tact-Verfahren. Die M~ske wird ctabei weniger beansprucht und hat eine groBere Standzeit. Der Kontaktdruck wird allerdings selten angewandt, weil das Entfernen der Maske schwieriger ist, da die ganze Flache auf einmal nach dem Druck bei, wie spater erlautert wird, geringerer Viskositat der Paste nach oben abgehoben werden muB.

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